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半導體二極管基礎應用

  Chip Switching Diode 

半導體二極管基礎應用 (資料只供參考)

1.二極體的主要參數          

正向電流IF:在額定功率下,允許通過二極體的電流值。     

正向電壓降VF:二極體通過額定正向電流時,在兩極間所産生的電壓降。   

最大整流電流(平均值)IOM:在半波整流連續工作的情況下,允許的最大半波電流的平均值。

反向擊穿電壓VB:二極體反向電流急劇增大到出現擊穿現象時的反向電壓值。  

正向反向峰值電壓VRM:二極體正常工作時所允許的反向電壓峰值,通常VRMVP的三分之二或略小一些。

反向電流IR:在規定的反向電壓條件下流過二極體的反向電流值。     

結電容C:電容包括電容和擴散電容,在高頻場合下使用時,要求結電容小於某一規定數值 PF  

最高工作頻率FM:二極體具有單向導電性的最高交流信號的頻率。     

 

開關二極體             

在脈衝數位電路中,用於接通和斷開電路的二極體叫開關二極體,它的特點是反向恢復時間短,能滿足高頻和超高頻應用的需要。

開關二極體有接觸型,平面型和擴散臺面型幾種,一般IF500毫安培的矽開關二極體,多採用全密封環氧樹脂,陶瓷片狀封裝,

如圖所示 陶瓷片狀二極管           

 

2.二極體的選用常識              

選用二極管要注意的幾個方面:             

1)正向特性                

另在二極體兩端的正向電壓(P爲正、N爲負)很小時(鍺管小於0.1伏,矽管小於0.5伏),管子不導通處於死區狀態,當正向電壓起過

一定數值後,管子才導通,電壓再稍微增大,電流急劇暗加。不同材料的二極體,起始電壓不同,矽管爲0.5-.7伏左右,鍺管 

0.1-0.3左右。              

 

2)反向特性              

  二極體兩端加上反向電壓時,反向電流很小,當反向電壓逐漸增加時,反向電流基本保持不變,這時的電流稱爲反向飽和電流.

不同材料的二極體,反向電流大小不同,矽管約爲1微安到幾十微安,鍺管則可高達數百微安,另外,反向電流受溫度變化

的影響很大,鍺管的穩定性比矽管差。          

 

3)擊穿特性             

  當反向電壓增加到某一數值時,反向電流急劇增大,這種現象稱爲反向擊穿。這時的反向電壓稱爲反向擊穿電壓,

不同結構、工藝和材料製成的管子,其反向擊穿電壓值差異很大,可由1伏到幾百伏,甚至高達數千伏。 

               

4)頻率特性             

由於結電容的存在,當頻率高到某一程度時,容抗小到使PN結短路。導致二極體失去單向導電性,不能工作,PN結面積越大,

結電容也越大,越不能在高頻情況下工作。          

 

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